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延吉BFe30-2-2铜套

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  快速原型技术将在国民经济各部门广泛的应用,快速产品及快速模具制造将是它的两个主要方向。直接应用快速原型技术或是经过一次或多次转换制得的模样将为快速铸造技术提供极好的条件。⑸计算机集成制造──铸造自动检测与控制近二、三十年来,微电子、计算机、自动化技术与制造工艺及设备相结合,形成了从单机到、从刚性到柔性,从简单到复杂等不同档次的多种自动化加工技术,使工艺面貌产生显著、本质的变化。这种变化也带动了铸造工艺及装备的技术进步,产生了一些具有划时代的新技术。主要有:①应用集成电路(取代分立元件)、可编程控制器(取代继电器)、微机等新型控制装置实现铸造设备及生产线的自动控制。②与新型传感、理化检验、无损检测等技术相结合,实时测量铸造的温度、压力、形状、尺寸、应力、位移、速度、成分及组织等参数,实现在线检测技术的电子化、数显化、计算机化及工艺参数的闭环控制,进而实现自适应控制。同时应该给予相应的资金扶持。否则内资零售业在低碳零售业经营的进程中将会处于落后局面,且对中国内资零售业的低碳化进程也有明显的影响。正如洪涛[4](2010)所指出的,现在外资超市在地摊经营方面已经走在内资超市的前面,若内资超市再不引起重视,可能失去先机,让外资超市在行业标准制定上抢占话语权,内资超市则会陷入非常被动的局面。与此同时,我国也把节能环保产业列为“十二五”及中长期战略型产业。我国能源消费总量上升迅速、能耗水平高于平均水平,能源的可持续供给面临诸多问题。我国产值能耗较高。随着经济的持续快速发展,我国能源消费量快速攀升。我国能源瓶颈凸显。与此同时,我国在2010年,石油供给的对外依存度超过50%,能源安全供应问题已经凸现。

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  加强涂料性能及其胶体化学、流变学的基础研究,开展涂层微波、远红外等干燥硬化工艺的研究,并制定涂料用原材料及性能的检测(包括仪器)和,建立其信息数据库。在铸造生铁和采用脱硫技术的前提下,改进球化剂配方,镁、稀土含量、球化效果;特种合金用球化剂及特种工艺用球化剂。孕育剂品种,针对性强的孕育剂,孕育剂粒度均匀性。但短期也不必过度担忧,受近日重污染天气的影响,京津冀及山东、河南等周边地区纷纷启动重污染天气Ⅱ级应急响应,武安等地钢厂甚至传出全部限产的消息,经调研目前尚未下达文件,主要是口头传达,但若十一前期这个敏感阶段天气持续不佳,其它地区或有扩大化的可能,这点需要密切。在重要机床铸件生产中,对材质要求高,如球墨铸铁要求P小于0.04%、S小于0.02%,铸钢要求P、S均小于0.025%,采用热分析技术及时准确控制C、S含量,用直读光谱仪2~3min分析出十几个元素含量且精度高,C、S分析与调控可使超低碳不锈钢的C、S含量得以准确控制,采用先进的无损检测技术有效控制铸件。该工艺可减少LF精炼炉热态钢渣和浇余钢水的周转时间,预热利用值更高,操作简单易行。通过以上工艺,LF精炼炉钢渣循环利用,精炼终排出的炉渣硫含量可达到1.2%以上,从精炼脱硫角度来看已作了充分利用,可考虑作为转炉造渣料替代部分石灰回用或进行加工处理调整成分后用于铁水预处理脱硫,实现LF精炼炉钢渣的梯级利用。国内钢铁企业如唐钢、马钢、杭钢、安钢等在炼钢生产中采用了此工艺,将LF精炼炉热态钢渣在LF精炼生产环节循环利用2~3次,减少了石灰、萤石等LF精炼造渣剂的消耗,减轻了电弧对钢包的辐射,提高了钢包寿命,降低了耐材消耗,回收了钢包浇余钢水,还可减少钢水温降10~15℃[3],吨钢可节电5~7kW?h,吨钢成本可降低15~20元,减少LF精炼炉钢渣排放量60%以上,取得了良好的经济效益和社会效益。

  主要产品品种有纯镍、镍铬电热合金、软磁合金和膨胀合金等精密合金、焊接用镍及镍铁合金、高温耐蚀合金、火花塞镍合金、高镍不锈钢等、 产品主要应用于石油、化工、电子、仪器仪表、照明、通讯、航天等领域。

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  ①不易形成一个集中的高温区,不利于铁水过热;②加速了炉壁的侵蚀;③铁料熔化不均匀,铁液不易下降,影响化学成分。解决:①采用较大焦炭块度,使风均匀送入;②采用式风嘴;③采用曲线炉膛;④采用送风;⑤熔炼中为使焦炭不易损耗,送风量要与焦炭损耗相适应。根据炉气、炉料、铁水浓度和温度,炉身分为4个区域:(1)预热区:从加料口下沿,炉料表面到铁料开始熔化的区域称为预热区,下面的炉气温度可达1200℃—1300℃,预热带的上部炉气温度为200℃—500℃。由于这一区域的平均温度不高,炉气黑度和辐射空间较小,炉气在料层内流速较大,炉料与炉气之间的热交换以对流为主,炉料在预热区内停留时间较长,一般为30分钟左右,预热区的高度受有效高度、底焦高度、炉面的实际位置、炉料块度、熔化速度、焦铁比的影响。由上表可以看出,与第一产业、第二产业、第三产业的能源消耗相比,批发与零售业的能源消耗不高,与住宿业相比,批发与零售业的能源消耗水平较低,比全部产业平均值要低,但是批发与零售业的能源总消耗水平依然处于较高水平,位居Us指标第三产业40部门中的15位,在全部产业135个部门中的排序为52。(三)批发零售业能源消耗水平的地区间比较分析。为了更好地考察我国批发零售业能源消耗状况,为我国零售业低碳化经营提出更好的对策与建议,本文采用经济合作和发展组织公布的各国和地区投入产出表,选取了中国、美国、日本、韩国和中国台湾地区进行对比分析,根据上述公式(3),计算各国和地区的综合能源消耗指数。通过综合能源消耗指数,反映中国与其他和地区相比,其能源消耗的相对水平。

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  从而使企业经济效益和社会效益达到。“绿色铸造”是社会可发展战略在制造业中的一个体现,是一种可发展的企业组织、和运行的新。和铸造生产相比,“绿色铸造”对企业信息化运作水平提出了相当高的要求,“绿色铸造”下铸件生产面临的关键是即时采用先进适用的铸造新技术来实现铸件“绿色生命周期”的全。对大型铁水罐,也使用直筒型喷。太钢二炼钢2002年引进了乌克兰单吹颗粒镁脱硫技术,建设了一套铁水脱硫装置。每罐铁水重量近80t,颗粒镁喷吹强度为8~10kg/min,用作粉剂输送的流量为130m3/h,初始硫分数为0.031,目标硫分数为0.003,金属镁消耗为0.807kg/t,温降为11℃,渣量一般在0.6~1.4t。BP(BackPropagation)神经网络是一种新型的人工智能技术,得到了成功的应用。申长雨等[7]通过把结合神经网络和混合遗传算法两种方法优化了注塑工艺参数。周惦武等[8]研究了镀锌钢/6016铝合金激光焊的BP神经网络工艺优化及组织和性能。丁周华等[9]基于神经网络对Co基硬质合金激光熔覆工艺进行了优化。苏忆[10]基于神经网络技术研究了汽车防锈铝水下搅拌摩擦焊工艺优化。任建平等[11]基于BP神经网络梯度下降算法对7003铝合金热处理工艺进行了优化。然而,在齿轮复合材料热处理过程中,BP神经网络优化的研究较少。因此,本文基于BP神经网络这一人工智能技术,对齿轮复合材料热处理工艺进行优化。

  铜镍管:C70600 CuNi90 10 【主变量】 Bfe10-1-1 欧标铜镍管、美标铜镍管、德标白铜管八字盲板、板式平焊法兰、带颈平焊法兰、带颈对焊法兰、螺纹法兰、承插焊法兰、法兰盖、对焊环松套法兰、平焊环松套法兰、八字盲板

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  处于分流桥底下的模孔,由于金属流进困难,工作带必须考虑减薄些。在确定工作带时,首先要找出在分流桥下型材壁厚薄处即金属流动阻力大的地方,此处的小工作带定为壁厚的两倍,壁厚较厚或金属容易达到的地方,工作带要适当考虑加厚,一般按一定的比例关系,再加上易流动的修正值。又如,在1Cr18Ni9Ti奥氏体不锈钢中,Ti、Si、Al、Mo的含量越多,则铁素体相越多,锻造时愈易形成带状裂纹,并使零件带有磁性。如原材料内存在缩管残余、皮下起泡、严重碳化物偏析、的非金属夹杂物(夹渣)等缺陷,锻造时易使锻件产生裂纹。原材料内的树枝状晶、严重疏松、非金属夹杂物、白点、氧化膜、偏析带及异金属混人等缺陷,易引起锻件性能下降。还有就是电力需求受经济下行影响较大。与此同时,电力行业节能减排的技术难度也日益增大。一是风电的快速发展,约需2倍风电容量的燃煤机组进行调节,大容量、高参数机组参与调峰,不能充分发挥其低能耗技术优势的局面。二是我国的水能、风能、太阳能等可再生能源资源规模大,分布集中,大多处于边远地区,一方面需要走集中开发、规模外送和大范围消纳的发展道路,对电网的资源优化配置能源能力和智能化水平提出了很高要求。3如何兼顾电力发展与节能减排当前经济发展处于新常态的情况下,电力的供需矛盾得以缓解,行业迎来了发展方式转变和结构优化调整的新契机。节能减排则是一把重要的标尺,通过节能减排来衡量电力改革发展的措施与成效既是提倡生态文明建设,也是电力企业提升效率的必然选择。

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  收缩量未作适当,浇注时出现漂芯、跑火等情况,都会影响铸件尺寸精度;造型及铸型装配操作不当,模型定位松动等都会引起尺寸误差。对于要求很高的尺寸,甚至涂料层厚度都会影响精度。目前,我国铸造产业已经实现规模化发展,因此,接下来,铸造产业应该注重产品的。随着全球经济一体化的加快和环保事业的推进,铸造行业向发展家和第三转移逐步加快,我国的铸造产业面临着新的发展机遇和严峻挑战。激烈的市场竞争、残酷的优胜劣汰以及铸造产品的广泛应用,这些因素共同要求着我国铸造产品的。但是,砂型铸造也有一些不足之处:因为每个砂质铸型只能浇注一次,铸件后铸型即损坏,必须重新造型,所以砂型铸造的生产效率较低;又因为砂的整体性质软而多孔,所以砂型铸造的铸件尺寸精度较低,表面也较粗糙。2.强化产业创新模式我国的材料应用企业一般规模不大。而企业作为加工应用技术研究、研发投入的主体,单个企业投入研究可能负担较重,因此同类应用企业和加工装备制造企业应当联合起来形成产业联盟,如以股份制形式共同出资投入组建研究团队,形成共有共享的技术,从而促进产业的发展着碳化硅晶体质量的不断提高,对碳化硅(SiC)基半导体器件已开始大量研究开发[1-2].由于SiC晶体具有很强的共价键,高温扩散或离子注入等方式制备器件功能层都存在很大的局限性[3].而通过化学气相外延(CVD)方法同质外延一层结晶质量高,掺杂可控的功能层是目前进行器件制备的一个重要途径[4-6].早期的碳化硅同质外延使用(0001)正角衬底,很难避免3C-SiC多晶的产生.而通过采用偏离(0001)面一定角度的衬底,利用台阶侧向生长的方法可以实现晶型的稳定延续,即使在较低的生长温度下也可获得高结晶质量的SiC同质外延膜[6].碳化硅同质外延常用的CVD设备主要有常压冷壁和低压热壁两种类型[7].常压冷壁CVD系统具有设备相对简单,外延膜掺杂更易控制等优点,适合生长微电子器件所需的优质精确掺杂控制的薄膜,但是由于热解效率低等因素限制,常压冷壁CVD系统的外延膜生长速率一般较低,通常在2~3μm/h.为了在常压冷壁CVD设备上实现外延膜的优质高速生长,本研究使用自制常压冷壁CVD设备,在1400℃下进行4H-SiC外延膜生长研究.1实验方法1.1碳化硅同质外延膜的制备实验使用的是Cree公司生长的8°偏向的4H-SiC晶片.晶片经过、V(NH4OH):V(H2O2):V(H2O)=1:1:5清洗后,在10%HF中浸泡5min.每步清洗后均用去离子水漂洗,后用高纯N2吹干后立刻放入CVD反应腔内进行生长.生长过程分为两步:首先在1300℃进行原位腐蚀处理;之后升温至1400℃并通入源气体进行外延生长.具体的生长工艺条件见图1,原位处理采用H2/HCl,生长的气源系统为H2SiH4C3H8.通过改变丙烷的流量控制生长过程中的碳硅比(C/Si).部分高生长速率样品在生长初始阶段先以高C/Si比(2.5~4.0)、低生长速率生长一层200nm左右的界面过渡层,再逐渐过渡到正常生长过程.1.2测试方法生长后得到的外延膜通过光学显微镜观察表面形貌.通过Raman光谱并辅以KOH腐蚀结果确认晶型.通过断面SEM计算外延膜的生长速率.通过KOH腐蚀研究外延膜中的晶体缺陷.2结果与讨论2.1外延膜的晶型表征生长完成后,首先进行了Raman表征以确定1400℃生长时外延膜的晶型.如图2所示,对比外延膜和衬底的Raman光谱可以看出,即使在1400℃的低生长温度下,外延膜仍很好的延续衬底晶型.需要注意的是,在实验样品中折叠纵光学(FLO)模出现在980cm1,与理论上的964cm1有一定差别.Kitamura等[8]研究发现,晶体的掺杂浓度会明显改变FLO的位置.根据他们实验的结果,980cm1对应的杂质浓度约~1018cm3,这与本实验通过霍尔(Hall)对样品测试得到的结果相吻合.因为3C-SiC的折叠横光学(FTO)模出现的位置与4H-SiCFTO模x(0)位置相同,都为796cm1.为此对外延膜进行了进一步的KOH腐蚀实验.根据文献报道[9],外延膜中的3C-SiC多晶会出现三角形的腐蚀坑,而在本实验中,只出现了六方和椭圆形腐蚀坑.因此,可以确认即使是在1400℃的低生长温度下,4H-SiC同质外延仍能获得结晶性非常好的单晶外延膜.2.2生长速率由于外延膜与衬底的掺杂性质不同,在SEM下会呈现明显不同的衬度,因此可以通过断面SEM准确地测出外延膜的厚度,如图3(a)插图所示.通过这种方法,可以得到不同SiH4流量以及不同C/Si条件下外延膜的生长速率.图3(a)是不同SiH4流量时的生长速率关系图,从图中可以看出,生长速率与SiH4流量的关系可以分为两个区域.在区域Ⅰ,生长速率随SiH4流量增加而线性增加.在这个区域,系统内反应物质处于非饱和状态,因此生长速率由反应物的质量输运过程控制,与源气体的流量呈明显的线性关系.在区域Ⅱ,生长速率已达到系统的饱和值,增加SiH4流量并不增加生长速率.对于本实验设备,在1400℃条件下饱和生长速率约在6μm/h左右.图3(b)是SiH4流量保持为0.8sccm,改变C3H8流量得到的不同C/Si比的生长速率图,从中可以看出,在C/Si1.5时,生长速率达到饱和状态,反应受SiH4流量限制,再增加C3H8流量并不能增加生长速率.由于在生长温度下SiH4和C3H8的裂解效率不同,因此饱和生长速率对应的C/Si一般都大于1.2.3表面形貌缺陷利用光学显微镜研究了外延膜表面的形貌缺陷.外延膜表面出现的典型缺陷为图4(a)所示的三角形缺陷.图4(a)中内嵌插图为三角形缺陷的SEM照片,从图中可以看出,三角形缺陷在表面凹陷,沿方向)垂直.图4(a)~(d)为不同生长速率时外延膜的表面形貌光学照片.在低的生长速度下外延膜表面缺陷较少,随着生长速率的增加,外延膜表面的缺陷密度迅速增加.当生长速率达到6μm/h时,表面已几乎被缺陷覆盖.因此,在较高生长速度下,需做进一步地研究来控制和降低外延膜表面缺陷密度.不同C/Si比生长的外延膜表面形貌见图5.在C/Si比为0.5时,在外延膜表面形成大量的“逗号”状的凹坑.通过Raman测试表明凹坑中存在着晶体Si,说明在此条件下,Si源严重过量,导致表面出现硅液滴的不断沉积与挥发过程.但C/Si比大于1.5时,外延膜表面形貌没有太大区别.通过对生长机制的分析,可以认为三角形凹坑缺陷是由台阶侧向的特性所决定的.按照SiC“台阶控制”生长理论模型,同质外延利用台阶的侧向生长以复制衬底的堆积顺序(晶型)[10].如图6所示,当外延生长过程中,在界面处出现(形成)一个缺陷点(可能是晶体缺陷、外来粒子等),就会阻碍此处台阶的侧向移动.随着生长的不断进行,缺陷点不断阻止侧向生长的进行,而在台阶流下方会逐渐恢复到正常的生长过程.终就会在外延膜表面留下一个台阶流上方顶点处凹陷下去的三角形缺陷,且三角形缺陷在台阶流上方的顶点深,而对应边与台阶流方向垂直.2.4外延膜的结晶缺陷由于衬底以及生长工艺因素的影响,外延膜中通常会形成一些结晶缺陷.用510℃熔融KOH腐蚀5min后发现,衬底表面存在着如图7(a)所示的“贝壳状”腐蚀坑,对应着基平面位错(BPD)[11].Stahlbush等[12]研究发现BPDs在正向导通电流作用下会演变形成堆垛层错,造成高频二极管(PiN)器件正向导通电压的漂移.而露头刃位错(对应7(b)中“六边形”腐蚀坑)对器件性能的影响则相对较小.因此,在SiC外延生长过程中阻止衬底中的BPDs向外延膜中延伸对提高器件性能有很重要的意义.图7(b)和(c)是生长速率分别为2.2和3.5μm/h时外延膜表面腐蚀后的光学照片(MP).生长速率为2.2μm/h时,外延膜表面主要为六边形的腐蚀坑,即露头刃位错(TEDs),说明低生长速率有利于衬底上的BPDs转化成TEDs.当生长速度增加到3.5μm/h时,由图7(c)可以看到膜上的腐蚀坑密度增大,说明生长速度提高后,外延膜生长过程中形成了大量的新缺陷.不同C/Si比条件生长的外延膜也进行了KOH腐蚀试验.结果表明,低C/Si时,外延膜中仍存在着BPDs;高C/Si时,外延膜中基本不存在BPDs.说明高C/Si比有利于降低外延膜中的BPDs.在较高C/Si比生长条件下BPDs密度的降低可能是富C情况下台阶侧向生长所占比例降低,空间螺旋生长所占比例增加,提高了BPDs转化成TEDs的几率[13-14].2.5表面缺陷的控制研究在低生长速率时,由于生长初期界面由腐蚀(表面粒子解离为主)到生长(表面粒子吸附固定)的转变相对较平稳,因此外延膜表面缺陷较少.但在高生长速率时,初期界面的转换非常剧烈,导致初期在界面处波动太大,形成大量的缺陷中心,从而在后续正常生长中引入大量的缺陷点,根据三角形缺陷产生的机制,终在外延膜表面形成大量的三角形凹坑缺陷.从上述分析可以看出,外延膜的缺陷密度受生长速率密切影响.高生长速率时在生长初期容易在界面上形成异常成核或者异常堆积,从而产生大量缺陷并延续到外延膜中,形成更多的表面缺陷.因此在高生长速率的情况下,要得到低缺陷密度的外延膜,需要控制并减少在初期生长界面处形成缺陷.通过在生长初期逐渐增加源气体流量,控制生长初期时生长界面的异常成核,可以减少在外延过程中缺陷形成.图8是生长速率为5.5μm/h时,直接外延生长和改进后的外延膜表面的光学照片,从图中可以看出改进初期生长条件后外延膜表面缺陷的密度极大地降低,提高了外延膜的质量.利用熔融KOH腐蚀对有无初期生长的外延膜结晶缺陷做了对比研究.从图9中可以看出,加入初期生长的外延膜在熔融KOH腐蚀后发现,即使在很高生长速率(5.5μm/h,接近饱和生长速率)条件下,腐蚀坑密度也迅速减少,说明通过引入初期生长能抑制外延生长初期缺陷的形成,从而极大降低高速生长时外延膜中的缺陷密度,因此引入初期生长是提高高速生长外延膜质量的重要手段之一。

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